Транзисторът е в основата на полупроводниковата технология

Транзисторът е елемент, предназначен за усилване, генериране и преобразуване на електрически колебания. Транзисторите са от два вида: биполярни и полеви.

Биполярен транзистор е полупроводниково устройство, състоящо се от два pn кръстовища. Елементарният транзистор е изграден върху германиев кристал, той има две точки: емитер и колектор, които докосват повърхността на кристала, отделени един от друг с разстояние от 20-50 микрона. С други думи, един преход свързва емитер към основата (нарича се кръстовището на емитер), а вторият е колектор с базата (нарича се кръстовиден кръстопът). Биполярните транзистори са разделени на два вида: PNP и NPN.

Транзисторът на полевия ефект е полупроводниково устройство, чието управление се осъществява чрез промяна на полето в противовес на биполярни елементи, където стойността на тока на изхода се определя от промяната на входящия ток. Полевите инструменти са еднополюсни и многополюсни.

Схемата на транзистора е представена на снимката по-долу. Схемата на биполарния елемент е къса функция, тя символизира основата, в която две наклонени линии навлизат под ъгъл 60 ⁰ и 120 ⁰ , линията със стрелка е емитер, вторият е колектора. Посоката на стрелката показва вида на устройството. Стрелката, която сочи към основата, е транзистор тип pnp , от основата - npn. Перпендикулярна на основата на тирето е електродът на основата. Стойността на електрическата проводимост на излъчвателя трябва да бъде известна за правилното свързване на транзистора към източника на енергия. Инструментите от типа pnp на колектора и основата трябва да бъдат снабдени с отрицателно напрежение на транзистора и NPN на положителния тип. Теоретичните транзистори в схемите са обозначени както следва: портата обикновено се обозначава с тире, успоредно на символа на канала, електрическата проводимост на канала е представена със стрелка, поставена между източника и канала. Ако стрелката сочи в посоката на канала, това означава, че елементът принадлежи към n-тип, а ако е в противоположна посока, то п-тип. Изображението на транзистор с полеви ефект с индукционен канал се характеризира с три кратки удара. Ако полевото устройство има няколко затваряния, тогава те са представени с кратки тирета, линията на първия вход винаги е поставена на удължението на изходната линия.

В заключение, добавяме, че транзисторите не са установили веднага това име, те първоначално бяха наречени полупроводникови триоди (подобни на технологията на лампите). Така че транзисторът е триод, който е контролиран елемент, той е широко използван в импулсни и усилващи схеми. Липсата на топлина, надеждността, малките общи размери и разходите - това са основните предимства на тези устройства, благодарение на които транзисторите са успели да изтласкват електронните лампи от много области на технологиите. Основното предимство на полупроводниковите устройства е липсата на нажежаем катод, който консумира значителна мощност и също така изисква време за отопление. Освен това транзисторът е многократно по-малък от електрическата лампа и може да работи при по-ниско напрежение. Всичко това значително намали размера на електронните устройства.